导通电阻(RDS(on)):-,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):-,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
数量 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | - | |
连续漏极电流(Id) | 15A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥1.629/个 |
50+ | ¥1.261/个 |
150+ | ¥1.104/个 |
500+ | ¥0.907/个 |
2500+ | ¥0.819/个 |
5000+ | ¥0.767/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.774
2500 PCS/盘
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