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NVF3055L108T1G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NVF3055L108T1G
- 商品编号
- C236119
- 商品封装
- SOT-223-3
- 商品毛重
- 0.00021千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):60pF,导通电阻(RDS(on)):120mΩ@5.0Vdc,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):7.6nC@5.0Vdc,漏源电压(Vdss):68V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2.1W,输入电容(Ciss):440pF,输出电容(Coss):160pF,连续漏极电流(Id):3A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@5.0Vdc | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.6nC@5.0Vdc | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 440pF | |
| 输出电容(Coss) | 160pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.66/个 |
| 10+ | ¥5.42/个 |
| 30+ | ¥4.81/个 |
| 100+ | ¥4.2/个 |
| 500+ | ¥3.83/个 |
| 1000+ | ¥3.64/个 |
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