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MGSF1N03LT1G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- MGSF1N03LT1G
- 商品编号
- C236231
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000031千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):40pF@5V,导通电阻(RDS(on)):0.145Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):6000pC,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.69W,输入电容(Ciss):140pF@5V,连续漏极电流(Id):2.1A,阈值电压(Vgs(th)):2.4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@5V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.145Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6000pC | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.69W | |
| 输入电容(Ciss) | 140pF@5V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.85/个 |
| 50+ | ¥0.672/个 |
| 150+ | ¥0.584/个 |
| 500+ | ¥0.471/个 |
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| 6000+ | ¥0.392/个 |
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