反向传输电容(Crss):2.7pF,导通电阻(RDS(on)):6.8Ω@1.65V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):545mW,输入电容(Ciss):11pF,输出电容(Coss):8.3pF,连续漏极电流(Id):285mA,阈值电压(Vgs(th)):1.3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 2.7pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 6.8Ω@1.65V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 545mW | |
输入电容(Ciss) | 11pF | |
输出电容(Coss) | 8.3pF | |
连续漏极电流(Id) | 285mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |