反向传输电容(Crss):66pF,导通电阻(RDS(on)):8.5mΩ@10V,工作温度:-,数量:-,栅极电荷量(Qg):178nC@10V,漏源电压(Vdss):68V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):3300pF,输出电容(Coss):960pF,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 66pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
工作温度 | - | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 178nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 68V | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 3300pF | |
输出电容(Coss) | 960pF | |
连续漏极电流(Id) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.208/个 |
50+ | ¥1.179/个 |
150+ | ¥1.161/个 |
500+ | ¥1.142/个 |
510+ | ¥1.142/个 |
520+ | ¥1.142/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.08468
50 PCS/盘
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