反向传输电容(Crss):890pF@15V,导通电阻(RDS(on)):2.7mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):21nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):42W,输入电容(Ciss):2100pF@15V,连续漏极电流(Id):90A,阈值电压(Vgs(th)):2.3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 890pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.7mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 42W | |
输入电容(Ciss) | 2100pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 90A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.2/个 |
10+ | ¥2.16/个 |
30+ | ¥2.13/个 |
100+ | ¥2.1/个 |
102+ | ¥2.1/个 |
104+ | ¥2.1/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.932
800 PCS/盘
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