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SE30150B
扩展库- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 厂家型号
- SE30150B
- 商品编号
- C238629
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.00045千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):743pF,导通电阻(RDS(on)):2.1mΩ@4.5V,25A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):80nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):90W,输入电容(Ciss):7032pF,输出电容(Coss):898pF,连续漏极电流(Id):150A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 743pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1mΩ@4.5V,25A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 输入电容(Ciss) | 7032pF | |
| 输出电容(Coss) | 898pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.398/个 |
| 50+ | ¥1.904/个 |
| 150+ | ¥1.692/个 |
| 500+ | ¥1.428/个 |
| 2500+ | ¥1.109/个 |
| 5000+ | ¥1.0388/个 |
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