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SE2101E
扩展库- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 厂家型号
- SE2101E
- 商品编号
- C238677
- 商品封装
- SOT-523-3
- 商品毛重
- 0.000027千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):150pF,导通电阻(RDS(on)):530mΩ@1.8V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):250mW,输入电容(Ciss):200pF,输出电容(Coss):80pF,连续漏极电流(Id):0.8A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 530mΩ@1.8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 输入电容(Ciss) | 200pF | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.229/个 |
| 200+ | ¥0.181/个 |
| 600+ | ¥0.157/个 |
| 3000+ | ¥0.139/个 |
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