反向传输电容(Crss):110pF,导通电阻(RDS(on)):50mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):21nC@5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):30W,输入电容(Ciss):750pF,输出电容(Coss):345pF,连续漏极电流(Id):19A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 110pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 21nC@5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 30W | |
输入电容(Ciss) | 750pF | |
输出电容(Coss) | 345pF | |
连续漏极电流(Id) | 19A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.0826/个 |
50+ | ¥0.856/个 |
150+ | ¥0.759/个 |
500+ | ¥0.638/个 |
2500+ | ¥0.556/个 |
5000+ | ¥0.524/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.51152
2500 PCS/盘
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