反向传输电容(Crss):35pF,导通电阻(RDS(on)):52mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):5.2nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):255pF@15V,连续漏极电流(Id):5.8A,阈值电压(Vgs(th)):1.45V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 输入电容(Ciss) | 255pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.45V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.288/个 |
| 100+ | ¥0.23/个 |
| 300+ | ¥0.201/个 |
| 3000+ | ¥0.157/个 |
| 6000+ | ¥0.14/个 |
| 9000+ | ¥0.131/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.14444
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