反向传输电容(Crss):70pF,导通电阻(RDS(on)):60mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个P沟道,栅极电荷量(Qg):12nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):520pF,输出电容(Coss):130pF,连续漏极电流(Id):5.1A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 70pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 2个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 2.5W | |
输入电容(Ciss) | 520pF | |
输出电容(Coss) | 130pF | |
连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.0041/个 |
50+ | ¥0.8/个 |
150+ | ¥0.713/个 |
500+ | ¥0.604/个 |
2500+ | ¥0.474/个 |
4000+ | ¥0.445/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.429
4000 PCS/盘
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