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FDS4435BZ
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDS4435BZ
- 商品编号
- C23931
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.000216千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):345pF,导通电阻(RDS(on)):20mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):40nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):1845pF,输出电容(Coss):365pF,连续漏极电流(Id):8.8A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 345pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 1845pF | |
| 输出电容(Coss) | 365pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.854/个 |
| 50+ | ¥2.369/个 |
| 150+ | ¥2.16/个 |
| 500+ | ¥1.216/个 |
| 2500+ | ¥1.101/个 |
| 5000+ | ¥1.0312/个 |
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