反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):0.84Ω@1.8V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):1.07nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.36W,输入电容(Ciss):30pF,输出电容(Coss):7pF,连续漏极电流(Id):0.54A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 5pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.84Ω@1.8V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 1.07nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.36W | |
输入电容(Ciss) | 30pF | |
输出电容(Coss) | 7pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.54A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.356/个 |
200+ | ¥0.293/个 |
600+ | ¥0.247/个 |
2000+ | ¥0.209/个 |
10000+ | ¥0.202/个 |
20000+ | ¥0.199/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.19228
8000 PCS/盘
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