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NDT456P
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NDT456P
- 商品编号
- C24083
- 商品封装
- SOT-223-3
- 商品毛重
- 0.000202千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):355pF,导通电阻(RDS(on)):0.045Ω@4.5V,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):67nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):20W,输入电容(Ciss):1440pF,输出电容(Coss):905pF,连续漏极电流(Id):7.5A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 355pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.045Ω@4.5V | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 输入电容(Ciss) | 1440pF | |
| 输出电容(Coss) | 905pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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