反向传输电容(Crss):190pF,导通电阻(RDS(on)):75mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):24nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.6W,输入电容(Ciss):1005pF,输出电容(Coss):195pF,连续漏极电流(Id):4.9A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 输入电容(Ciss) | 1005pF | |
| 输出电容(Coss) | 195pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.9A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.54/个 |
| 10+ | ¥1.97/个 |
| 30+ | ¥1.72/个 |
| 100+ | ¥1.42/个 |
| 500+ | ¥1.28/个 |
| 1000+ | ¥1.2/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.198
3000 PCS/盘
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