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FDC6312P
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDC6312P
- 商品编号
- C241767
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 商品毛重
- 0.000041千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):38pF,导通电阻(RDS(on)):225mΩ@1.8V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.96W,输入电容(Ciss):467pF@10V,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 225mΩ@1.8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.96W | |
| 输入电容(Ciss) | 467pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.15/个 |
| 10+ | ¥2.47/个 |
| 30+ | ¥2.1/个 |
| 100+ | ¥1.74/个 |
| 500+ | ¥1.57/个 |
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