温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准

FDC638APZ

扩展库

品牌名称: onsemi(安森美)
厂家型号: FDC638APZ
商品编号: C241771
商品封装: SuperSOT-6
商品毛重: 0.000034千克(kg)
包装方式: 编带
ECCN: EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):195pF,导通电阻(RDS(on)):43mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):12nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.6W,输入电容(Ciss):1000pF,输出电容(Coss):210pF,连续漏极电流(Id):4.5A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA

找到类似商品：0 种查看类似商品

属性	参数值	其他
商品目录	场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	195pF
导通电阻(RDS(on))	43mΩ@4.5V
工作温度	-55℃~+150℃
栅极电荷量(Qg)	12nC@4.5V
漏源电压(Vdss)	20V
类型	P沟道
耗散功率(Pd)	1.6W
输入电容(Ciss)	1000pF
输出电容(Coss)	210pF
连续漏极电流(Id)	4.5A
阈值电压(Vgs(th))	1.5V@250uA