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FDC640P

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品牌名称: onsemi(安森美)
厂家型号: FDC640P
商品编号: C241774
商品封装: SuperSOT-6
商品毛重: 0.000038千克(kg)
包装方式: 编带
ECCN: EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):123pF,导通电阻(RDS(on)):0.08Ω@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):13nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.6W,输入电容(Ciss):890pF,输出电容(Coss):244pF,连续漏极电流(Id):4.5A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA

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属性	参数值	其他
商品目录	场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	123pF
导通电阻(RDS(on))	0.08Ω@2.5V
工作温度	-55℃~+150℃
数量	1个P沟道
栅极电荷量(Qg)	13nC@4.5V
漏源电压(Vdss)	20V
类型	P沟道
耗散功率(Pd)	1.6W
输入电容(Ciss)	890pF
输出电容(Coss)	244pF
连续漏极电流(Id)	4.5A
阈值电压(Vgs(th))	1.5V@250uA