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FDC855N

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品牌名称: onsemi(安森美)
厂家型号: FDC855N
商品编号: C241778
商品封装: SuperSOT-6
商品毛重: 0.000025千克(kg)
包装方式: 编带
ECCN: EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):95pF,导通电阻(RDS(on)):27mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):13nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.6W,输入电容(Ciss):655pF,输出电容(Coss):145pF,连续漏极电流(Id):6.1A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA

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属性	参数值	其他
商品目录	场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	95pF
导通电阻(RDS(on))	27mΩ@10V
工作温度	-55℃~+150℃
数量	1个N沟道
栅极电荷量(Qg)	13nC@10V
漏源电压(Vdss)	30V
类型	N沟道
耗散功率(Pd)	1.6W
输入电容(Ciss)	655pF
输出电容(Coss)	145pF
连续漏极电流(Id)	6.1A
阈值电压(Vgs(th))	3V@250uA