反向传输电容(Crss):35pF,导通电阻(RDS(on)):0.054Ω@4.5V,导通电阻(RDS(on)):0.07Ω@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):7nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.5W,输入电容(Ciss):300pF,输出电容(Coss):145pF,连续漏极电流(Id):2.2A,阈值电压(Vgs(th)):0.7V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.054Ω@4.5V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.07Ω@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 输出电容(Coss) | 145pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.7V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.826/个 |
| 50+ | ¥0.677/个 |
| 150+ | ¥0.603/个 |
| 500+ | ¥0.547/个 |
| 3000+ | ¥0.502/个 |
| 6000+ | ¥0.48/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.46184
3000 PCS/盘
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