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FQPF9N50CF
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FQPF9N50CF
- 商品编号
- C243116
- 商品封装
- TO-220FPAB-3
- 商品毛重
- 0.00268千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):30pF,导通电阻(RDS(on)):850mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):35nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):44W,输入电容(Ciss):1030pF,输出电容(Coss):170pF,连续漏极电流(Id):9A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 输入电容(Ciss) | 1030pF | |
| 输出电容(Coss) | 170pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥10.108/个 |
| 10+ | ¥8.638/个 |
| 30+ | ¥7.721/个 |
| 100+ | ¥6.776/个 |
| 500+ | ¥6.356/个 |
| 1000+ | ¥6.167/个 |
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