反向传输电容(Crss):3pF,导通电阻(RDS(on)):3.5Ω@5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):0.6nC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.43W,输入电容(Ciss):30pF,输出电容(Coss):6pF,连续漏极电流(Id):0.3A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.6nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.43W | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 输出电容(Coss) | 6pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.244/个 |
| 200+ | ¥0.191/个 |
| 600+ | ¥0.161/个 |
| 3000+ | ¥0.143/个 |
| 9000+ | ¥0.128/个 |
| 21000+ | ¥0.12/个 |
| 39000+ | ¥0.118/个 |
| 81000+ | ¥0.117/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.13156
3000 PCS/盘
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