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FQD3P50TM
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FQD3P50TM
- 商品编号
- C246440
- 商品封装
- TO-252-2
- 商品毛重
- 0.000085千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):12pF,导通电阻(RDS(on)):4.9Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):23nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):50W,耗散功率(Pd):50W,输入电容(Ciss):660pF,输出电容(Coss):70pF,连续漏极电流(Id):2.1A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.9Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 输出电容(Coss) | 70pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥7.42/个 |
| 10+ | ¥6.13/个 |
| 30+ | ¥5.42/个 |
| 100+ | ¥4.3/个 |
| 500+ | ¥3.95/个 |
| 1000+ | ¥3.79/个 |
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