导通电阻(RDS(on)):8.5mΩ@10V,14A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):52nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):44W,耗散功率(Pd):44W,输入电容(Ciss):1970pF@20V,连续漏极电流(Id):57A,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V,14A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 44W | |
耗散功率(Pd) | 44W | |
输入电容(Ciss) | 1970pF@20V | |
连续漏极电流(Id) | 57A | |
连续漏极电流(Id) | 50A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥6.25/个 |
10+ | ¥5.12/个 |
30+ | ¥4.55/个 |
100+ | ¥3.99/个 |
500+ | ¥3.4/个 |
1000+ | ¥3.22/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.9624
2500 PCS/盘
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