温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
FDN338P
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDN338P
- 商品编号
- C24855
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.00003千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):33pF,导通电阻(RDS(on)):155mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):13nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.5W,输入电容(Ciss):451pF,输出电容(Coss):75pF,连续漏极电流(Id):1.6A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 155mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 451pF | |
| 输出电容(Coss) | 75pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
数据手册PDF
放大查看阶梯价格(含税价)
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.501/个 |
| 50+ | ¥1.163/个 |
| 150+ | ¥1.0187/个 |
| 500+ | ¥0.838/个 |
| 3000+ | ¥0.758/个 |
| 6000+ | ¥0.71/个 |
嘉立创SMT补贴
整盘
单价
整盘单价¥0.69736
3000 PCS/盘
省
嘉立创补贴8%
一盘能省掉181.92元
送
换料费券¥300
库存总量
110 PCS电话
顶部
元器件购物车