反向传输电容(Crss):2.4pF,导通电阻(RDS(on)):0.2Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):29nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):30W,输入电容(Ciss):1055pF,输出电容(Coss):56pF,连续漏极电流(Id):18A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 2.4pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.2Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 30W | |
输入电容(Ciss) | 1055pF | |
输出电容(Coss) | 56pF | |
连续漏极电流(Id) | 18A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥6.7/个 |
10+ | ¥5.57/个 |
50+ | ¥4.94/个 |
100+ | ¥4.24/个 |
500+ | ¥3.93/个 |
1000+ | ¥3.79/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.5448
50 PCS/盘
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