射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):60MHz,耗散功率(Pd):15W,集射极击穿电压(Vceo):50V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.4V@3A,0.15A,集电极截止电流(Icbo):1uA,集电极电流(Ic):5A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
工作温度 | - | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 60MHz | |
耗散功率(Pd) | 15W | |
集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.4V@3A,0.15A | |
集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
集电极电流(Ic) | 5A |