反向传输电容(Crss):4pF,导通电阻(RDS(on)):4Ω@4V,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):4.4nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):200mW,输入电容(Ciss):15pF@10V,连续漏极电流(Id):200mA,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@1mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.4nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 输入电容(Ciss) | 15pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.336/个 |
| 100+ | ¥0.264/个 |
| 300+ | ¥0.228/个 |
| 3000+ | ¥0.201/个 |
| 6000+ | ¥0.179/个 |
| 9000+ | ¥0.168/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.18492
3000 PCS/盘
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