反向传输电容(Crss):1.7pF,导通电阻(RDS(on)):9Ω@1.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):150mW,输入电容(Ciss):7.1pF,输出电容(Coss):3.3pF,连续漏极电流(Id):100mA,阈值电压(Vgs(th)):1V@100uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 1.7pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 9Ω@1.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 150mW | |
输入电容(Ciss) | 7.1pF | |
输出电容(Coss) | 3.3pF | |
连续漏极电流(Id) | 100mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@100uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.199/个 |
200+ | ¥0.153/个 |
600+ | ¥0.127/个 |
2000+ | ¥0.112/个 |
8000+ | ¥0.0987/个 |
16000+ | ¥0.0915/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.0908
8000 PCS/盘
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