反向传输电容(Crss):205pF,导通电阻(RDS(on)):11.5mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):50nC,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):110W,输入电容(Ciss):2350pF@25V,连续漏极电流(Id):60A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 输入电容(Ciss) | 2350pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.215/个 |
| 10+ | ¥0.92/个 |
| 30+ | ¥0.815/个 |
| 100+ | ¥0.68/个 |
| 500+ | ¥0.62/个 |
| 1000+ | ¥0.585/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.815
50 PCS/盘