反向传输电容(Crss):280pF,导通电阻(RDS(on)):5.3mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):260nC@10V,漏源电压(Vdss):55V,耗散功率(Pd):330W,输入电容(Ciss):5480pF,连续漏极电流(Id):169A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 280pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 260nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 55V | |
耗散功率(Pd) | 330W | |
输入电容(Ciss) | 5480pF | |
连续漏极电流(Id) | 169A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥5.26/个 |
10+ | ¥4.35/个 |
50+ | ¥3.39/个 |
100+ | ¥2.94/个 |
500+ | ¥2.67/个 |
1000+ | ¥2.53/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.1188
50 PCS/盘
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