反向传输电容(Crss):980pF,导通电阻(RDS(on)):13mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):87nC,漏源电压(Vdss):20V,类型:-,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):7980pF,输出电容(Coss):1480pF,连续漏极电流(Id):15A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 980pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 87nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 7980pF | |
| 输出电容(Coss) | 1480pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.12/个 |
| 10+ | ¥4.96/个 |
| 30+ | ¥4.39/个 |
| 100+ | ¥3.81/个 |
| 500+ | ¥3.47/个 |
| 1000+ | ¥3.29/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.0268
4000 PCS/盘
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