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IRF9Z34N
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IRF9Z34N
- 商品编号
- C2577
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.00275千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):140pF,导通电阻(RDS(on)):0.1Ω@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):35nC@10V,漏源电压(Vdss):55V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):68W,输入电容(Ciss):620pF,连续漏极电流(Id):19A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.1Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
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| 100+ | ¥1.84/个 |
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