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BS170-D26Z
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- BS170-D26Z
- 商品编号
- C258163
- 商品封装
- TO-92-3
- 商品毛重
- 0.000425千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):5Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):350mW,输入电容(Ciss):60pF,连续漏极电流(Id):0.5A,阈值电压(Vgs(th)):3V@1.0mA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@1.0mA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.372/个 |
| 50+ | ¥1.0699/个 |
| 150+ | ¥0.94/个 |
| 500+ | ¥0.779/个 |
| 2000+ | ¥0.707/个 |
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