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2N7000-D26Z
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- 2N7000-D26Z
- 商品编号
- C258193
- 商品封装
- TO-92-3
- 商品毛重
- 0.000494千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):11pF,导通电阻(RDS(on)):5Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):400mW,输入电容(Ciss):50pF,输出电容(Coss):25pF,连续漏极电流(Id):200mA,阈值电压(Vgs(th)):3V@1mA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 输出电容(Coss) | 25pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@1mA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.678/个 |
| 50+ | ¥1.306/个 |
| 150+ | ¥1.147/个 |
| 500+ | ¥0.948/个 |
| 2000+ | ¥0.85/个 |
| 4000+ | ¥0.797/个 |
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