导通电阻(RDS(on)):0.25Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):5nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.54W,输入电容(Ciss):85pF@25V,连续漏极电流(Id):1.2A,阈值电压(Vgs(th)):0.4V@0.46A
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.25Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.54W | |
| 输入电容(Ciss) | 85pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.4V@0.46A |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.8/个 |
| 50+ | ¥0.642/个 |
| 150+ | ¥0.563/个 |
| 500+ | ¥0.503/个 |
| 3000+ | ¥0.377/个 |
| 6000+ | ¥0.353/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.347
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