导通电阻(RDS(on)):0.25Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):5nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.54W,输入电容(Ciss):85pF@25V,连续漏极电流(Id):1.2A,阈值电压(Vgs(th)):0.4V@0.46A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.25Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.54W | |
输入电容(Ciss) | 85pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.4V@0.46A |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.688/个 |
50+ | ¥0.551/个 |
150+ | ¥0.483/个 |
500+ | ¥0.432/个 |
3000+ | ¥0.324/个 |
6000+ | ¥0.304/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.301
3000 PCS/盘
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