反向传输电容(Crss):18pF,导通电阻(RDS(on)):0.6Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):5.1nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):540mW,输入电容(Ciss):75pF,输出电容(Coss):37pF,连续漏极电流(Id):0.76A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 18pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.6Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 5.1nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 540mW | |
输入电容(Ciss) | 75pF | |
输出电容(Coss) | 37pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.76A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.701/个 |
50+ | ¥0.578/个 |
150+ | ¥0.516/个 |
500+ | ¥0.469/个 |
3000+ | ¥0.354/个 |
6000+ | ¥0.335/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.32568
3000 PCS/盘
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