反向传输电容(Crss):350pF,导通电阻(RDS(on)):0.27Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):210nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):280W,输入电容(Ciss):4200pF,输出电容(Coss):870pF,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 350pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.27Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 210nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 280W | |
| 输入电容(Ciss) | 4200pF | |
| 输出电容(Coss) | 870pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥12.11/个 |
| 10+ | ¥10.47/个 |
| 25+ | ¥9.32/个 |
| 100+ | ¥8.26/个 |
| 500+ | ¥7.78/个 |
| 1000+ | ¥7.58/个 |
整盘
单价
整盘单价¥8.5744
25 PCS/盘
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