反向传输电容(Crss):550pF,导通电阻(RDS(on)):3.7mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):150nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):200W,输入电容(Ciss):4340pF,输出电容(Coss):3300pF,连续漏极电流(Id):120A,阈值电压(Vgs(th)):4V@150uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 550pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 输入电容(Ciss) | 4340pF | |
| 输出电容(Coss) | 3300pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@150uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.94/个 |
| 10+ | ¥4.73/个 |
| 50+ | ¥4.12/个 |
| 100+ | ¥3.52/个 |
| 500+ | ¥3.16/个 |
| 1000+ | ¥2.98/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.7904
50 PCS/盘
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