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DMN2016UTS-13
扩展库- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 厂家型号
- DMN2016UTS-13
- 商品编号
- C260874
- 商品封装
- TSSOP-8
- 商品毛重
- 0.000192千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):152pF,导通电阻(RDS(on)):16.5mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):16.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.88W,输入电容(Ciss):1495pF,输出电容(Coss):161pF,连续漏极电流(Id):8.58A,阈值电压(Vgs(th)):1V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 152pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.5mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.5nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.88W | |
| 输入电容(Ciss) | 1495pF | |
| 输出电容(Coss) | 161pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.58A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.775/个 |
| 50+ | ¥1.447/个 |
| 150+ | ¥1.307/个 |
| 500+ | ¥1.131/个 |
| 2500+ | ¥1.0532/个 |
| 5000+ | ¥1.0063/个 |
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