导通电阻(RDS(on)):0.0078Ω@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):160nC,漏源电压(Vdss):75V,耗散功率(Pd):330W,输入电容(Ciss):5600pF,连续漏极电流(Id):130A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.0078Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 耗散功率(Pd) | 330W | |
| 输入电容(Ciss) | 5600pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.53/个 |
| 10+ | ¥4.39/个 |
| 50+ | ¥3.82/个 |
| 100+ | ¥3.26/个 |
| 500+ | ¥2.92/个 |
| 1000+ | ¥2.74/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.5144
50 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉15.28元