反向传输电容(Crss):68pF@30V,导通电阻(RDS(on)):70mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):25nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):3.8W,输入电容(Ciss):1377pF@30V,连续漏极电流(Id):23.6A,连续漏极电流(Id):23.6A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 68pF@30V | |
导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 3.8W | |
输入电容(Ciss) | 1377pF@30V | |
连续漏极电流(Id) | 23.6A | |
连续漏极电流(Id) | 23.6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥3.09/个 |
10+ | ¥2.39/个 |
30+ | ¥2.1/个 |
100+ | ¥1.73/个 |
500+ | ¥1.56/个 |
1000+ | ¥1.46/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.457
2500 PCS/盘
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