反向传输电容(Crss):81.2pF,导通电阻(RDS(on)):37mΩ@1.8V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):9.6nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.78W,输入电容(Ciss):829.9pF,输出电容(Coss):85.3pF,连续漏极电流(Id):4.2A,阈值电压(Vgs(th)):0.9V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 81.2pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@1.8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.6nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.78W | |
| 输入电容(Ciss) | 829.9pF | |
| 输出电容(Coss) | 85.3pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.9V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.528/个 |
| 50+ | ¥0.42/个 |
| 150+ | ¥0.367/个 |
| 500+ | ¥0.326/个 |
| 3000+ | ¥0.294/个 |
| 6000+ | ¥0.278/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.27048
3000 PCS/盘
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