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DMN2005K-7
扩展库- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 厂家型号
- DMN2005K-7
- 商品编号
- C260950
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000028千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):4.2pF,导通电阻(RDS(on)):0.55Ω@1.8V,导通电阻(RDS(on)):0.4Ω@2.7V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):0.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):350mW,输入电容(Ciss):36pF,输出电容(Coss):5.7pF,连续漏极电流(Id):300mA,阈值电压(Vgs(th)):0.9V@100uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.55Ω@1.8V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.4Ω@2.7V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.5nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 输入电容(Ciss) | 36pF | |
| 输出电容(Coss) | 5.7pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.9V@100uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
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| 500+ | ¥0.388/个 |
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