写周期时间(Tw):-,块擦除时间(tBE):-,存储容量:4Gbit,工作温度:-40℃~+85℃,工作电压:2.7V~3.6V,待机电流:130uA,接口类型:-,擦写寿命:100000次,数据保留 - TDR(年):10年,时钟频率(fc):50MHz,页写入时间(Tpp):-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 130uA | |
| 接口类型 | - | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 时钟频率(fc) | 50MHz | |
| 页写入时间(Tpp) | - |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥29.133/个 |
| 10+ | ¥25.074/个 |
| 30+ | ¥22.671/个 |
| 260+ | ¥20.232/个 |
| 520+ | ¥19.107/个 |
| 1040+ | ¥18.603/个 |
整盘
单价
整盘单价¥18.61344
260 PCS/盘
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