反向传输电容(Crss):450pF,导通电阻(RDS(on)):20mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):180nC@10V,漏源电压(Vdss):55V,耗散功率(Pd):170W,输入电容(Ciss):3500pF,输出电容(Coss):1250pF,连续漏极电流(Id):70A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 450pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 180nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 55V | |
耗散功率(Pd) | 170W | |
输入电容(Ciss) | 3500pF | |
输出电容(Coss) | 1250pF | |
连续漏极电流(Id) | 70A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥6.77/个 |
10+ | ¥5.81/个 |
30+ | ¥5.12/个 |
100+ | ¥4.56/个 |
500+ | ¥3.63/个 |
800+ | ¥3.52/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.2384
800 PCS/盘
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