反向传输电容(Crss):8pF,导通电阻(RDS(on)):3.6Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):11.8nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):45W,输入电容(Ciss):311pF,输出电容(Coss):43pF,连续漏极电流(Id):2.4A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@50uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 8pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 3.6Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 11.8nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 45W | |
输入电容(Ciss) | 311pF | |
输出电容(Coss) | 43pF | |
连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@50uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.78/个 |
10+ | ¥2.48/个 |
30+ | ¥2.34/个 |
100+ | ¥2.19/个 |
500+ | ¥1.91/个 |
1000+ | ¥1.86/个 |
2500+ | ¥1.84/个 |
5000+ | ¥1.82/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.747
2500 PCS/盘
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