STF11N65M2实物图
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STF11N65M2

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品牌名称
ST(意法半导体)
厂家型号
STF11N65M2
商品编号
C262935
商品封装
TO-220F-3
商品毛重
0.00246千克(kg)
包装方式
管装
ECCN
EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):0.95pF,导通电阻(RDS(on)):0.68Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):12.5nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):25W,输入电容(Ciss):410pF,输出电容(Coss):20pF,连续漏极电流(Id):7A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA

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属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)0.95pF
导通电阻(RDS(on))0.68Ω@10V
工作温度-55℃~+150℃
数量1个N沟道
栅极电荷量(Qg)12.5nC@10V
漏源电压(Vdss)650V
类型N沟道
耗散功率(Pd)25W
输入电容(Ciss)410pF
输出电容(Coss)20pF
连续漏极电流(Id)7A
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA

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10+¥7.84/个
50+¥7/个
100+¥6.04/个
500+¥5.62/个
1200+¥5.43/个
1800+¥5.36/个
4200+¥5.32/个

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整盘

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