反向传输电容(Crss):57pF,导通电阻(RDS(on)):0.5Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):75nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):40W,输入电容(Ciss):2220pF,输出电容(Coss):240pF,连续漏极电流(Id):13.5A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.5Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 输入电容(Ciss) | 2220pF | |
| 输出电容(Coss) | 240pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥35.53/个 |
| 10+ | ¥30.82/个 |
| 50+ | ¥27.96/个 |
| 100+ | ¥25.55/个 |
| 102+ | ¥25.55/个 |
| 104+ | ¥25.55/个 |
| 500+ | ¥25.25/个 |
| 502+ | ¥25.25/个 |
整盘
单价
整盘单价¥25.7232
50 PCS/盘
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