反向传输电容(Crss):90pF,导通电阻(RDS(on)):6.5Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):38nC,漏源电压(Vdss):800V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):54W,输入电容(Ciss):530pF,输出电容(Coss):150pF,连续漏极电流(Id):1.8A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 输入电容(Ciss) | 530pF | |
| 输出电容(Coss) | 150pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥9.01/个 |
| 10+ | ¥7.53/个 |
| 50+ | ¥6.43/个 |
| 100+ | ¥5.51/个 |
| 500+ | ¥5.1/个 |
| 1000+ | ¥4.92/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.9156
50 PCS/盘
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